來自SK海力士半導體(SK Hynix)的Seok-Hee Lee談到，記憶體元件在技術擴展方面須朝高頻寬記憶體以及高容量記憶體這2條路線革新。然而通用記憶體的夢想卻因不同應用走向而遙不可及。另一方面，除了MRAM迅速發展，奈米隨機存取記憶體(NRAM)結合了DRAM的讀寫速度與NAND快閃記憶體的非揮發性等雙重優點，富士通旗下半導體公司將授權Nantero相關技術，計劃在2018年推出讀寫速度媲美DRAM的非揮發性記憶體晶片。
NRAM讀寫速度快且功耗低 2018年可望由富士通攜手Nantero投產
Nantero募資能力強 未來幾年營收可望憑NRAM技術大幅成長
記憶體儲存技術將往高頻寬與高容量發展 利基導向使通用記憶體的夢想遙不可及
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