英飛凌發表新款高電壓超接面MOSFET技術產品

英飛凌600V CoolMOS CFD7效率較前一代產品和其他競爭產品高出1.45%，結合了快速切換技術所有的優點和高整流耐用度，同時保有設計流程的簡易實作性。

英飛凌科技發表新款高電壓超接面(SJ)MOSFET技術產品600 V CoolMOS CFD7，讓CoolMOS 7系列更為完備。新款MOSFET產品滿足高功率SMPS市場的諧振拓樸需求，為LLC和ZVS PSFB等軟切換拓撲提供領先業界的效率與可靠度，最適合像是伺服器、電信設備電源和電動車充電站等高功率SMPS應用。

600V CoolMOS CFD7為CoolMOS CFD2的接續產品。新MOSFET產品效率較前一代產品和其他競爭產品高出1.45％，結合了快速切換技術所有的優點和高整流耐用度，同時保有設計流程的簡易實作性。600V CoolMOS CFD7除了降低閘極電荷(Qg)，關斷行為亦獲得改善。此外，其逆回復電荷(Qrr)比市場上其他競爭產品少了69％。600V CoolMOS CFD7提供了領先業界的插件式封裝(THD)和表面接著封裝(SMD)解決方案，支持高功率密度產品的設計需求。

供貨情形：600V CoolMOS CFD7現已開始量產，且樣品已開放訂購。