DRAM製程技術

DRAM製程競賽持續，三星電子(Samsung Electronics)每每領先同業1個世代，三星在2011年的主流量產製程已是40奈米，目前逐漸轉換至轉進35奈米，預計第2季末35奈米製程將達30%，年底將達50%，持續增加成本競爭優勢。

海力士(Hynix)2011年也要轉入 38奈米製程，且同時導入6F2設計架構，預估38奈米製程在2011年底貢獻產出的比例不高。

而在台廠方面，瑞晶已在2010年底將旗下12吋晶圓產能轉進45奈米製程，速度是台廠之冠，預計38奈米製程將於6月量產，年底可達總投片產能的50%；南亞科和華亞科目前製程技術以42奈米為主，預計下半年試產30奈米製程。

由於DRAM製程微縮難度越來越高，40奈米問題已逐漸浮現，未來30奈米甚至是20奈米製程良率勢必也會面臨挑戰；再者，因應製程微縮需要的機台設備價格也大幅拉高，不是每1家DRAM廠都負擔得起，但這也象徵DRAM廠每年的位元成長率(Bit Growth)會趨緩，有助於價格穩定。(連于慧)