英飛凌推出TRENCHSTOP先進絕緣封裝版本

英飛凌TRENCHSTOP先進絕緣熱阻(Rth)比TO-247 FullPak減少50%，比使用絕緣片的標準型TO-247封裝減少35%，運作溫度較採FullPak封裝的IGBT降低了10°C。

德國慕尼黑訊
英飛凌科技推出最新的TRENCHSTOP先進絕緣封裝技術，包括TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT兩種版本，擁有同級最佳的散熱效能以及更簡易的製程。這兩種版本經過效能最佳化，可取代完全絕緣封裝(FullPAK)以及標準型和高效能型絕緣片，適用於空調、不斷電系統(UPS)的功率因數校正(PFC)，以及馬達驅動的電源轉換器等應用。

傳統的絕緣做法，如採用絕緣材料的FullPAK或標準型TO封裝，價格高昂又難以掌控，亦不符合最新高功率密度IGBT的散熱需求。TRENCHSTOP先進絕緣具備與標準型TO-247相同的尺寸，且絕緣能力達100%，且無需使用絕緣片或散熱膏。

新封裝提供從IGBT晶片到散熱器的有效且可靠的散熱路徑，有助於提升功率密度及可靠度，同時降低系統與製造成本。由於不需絕緣材料與散熱膏，設計人員可省下多達35%的組裝時間。

此外，也可免去絕緣片無法對齊的問題，因此可靠度更高。新封裝的熱阻(Rth)比TO-247 FullPak減少50%，比使用絕緣片的標準型TO-247封裝減少35%，使新封裝的效能更為優異，舉例來說，其運作溫度較採FullPak封裝的IGBT降低了10°C。相較於使用絕緣箔的標準型TO-247，採用先進絕緣封裝可提升系統效率達0.2%。

新封裝的耦合電容值僅38pF， EMI效能更佳優異，濾波器尺寸也可縮小。更佳的散熱特性讓IGBT能以更低的溫度運作，進而減少對元件造成的應力，因此可靠度也獲得提升。此外，溫度降低，也有助於縮小散熱器尺寸，有助於節省系統成本。冷卻需求降低後，設計人員便能選擇利用多出的空間來提升功率密度。