三星成功研發第二代10奈米FinFET 年底前擴增華城S3晶圓代工設備 智慧應用 影音
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三星成功研發第二代10奈米FinFET 年底前擴增華城S3晶圓代工設備

  • 范維君

三星電子(Samsung Electronics)20日表示,第二代10奈米FinFET 10LPP(Low Power Plus)製程完成研發,相較第一代10LPE(Lower Power Early)製程,產品效能與電源效率分別提升10%及15%。隨著三星晶圓代...

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