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DRAM製程技術
2011/05/26-連于慧  

DRAM製程競賽持續,三星電子(Samsung Electronics)每每領先同業1個世代,三星在2011年的主流量產製程已是40奈米,目前逐漸轉換至轉進35奈米,預計第2季末35奈米製程將達30%,年底將達50%,持續增加成本競爭優勢。

海力士(Hynix)2011年也要轉入 38奈米製程,且同時導入6F2設計架構,預估38奈米製程在2011年底貢獻產出的比例不高。

而在台廠方面,瑞晶已在2010年底將旗下12吋晶圓產能轉進45奈米製程,速度是台廠之冠,預計38奈米製程將於6月量產,年底可達總投片產能的50%;南亞科和華亞科目前製程技術以42奈米為主,預計下半年試產30奈米製程。

由於DRAM製程微縮難度越來越高,40奈米問題已逐漸浮現,未來30奈米甚至是20奈米製程良率勢必也會面臨挑戰;再者,因應製程微縮需要的機台設備價格也大幅拉高,不是每1家DRAM廠都負擔得起,但這也象徵DRAM廠每年的位元成長率(Bit Growth)會趨緩,有助於價格穩定。


關鍵字 
三星電子(Samsung Electronics)瑞晶SK海力士(SK Hynix)
DRAM
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