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CMP
2007/09/03-宋丁儀  

化學機械研磨製程(Chemical Mechanical Polishing;CMP)是現在唯一能提供生產超大型積體電路(VLSI),由稱IC生產製程全面平坦化的一種新技術,這項技術來源主要是由 IBM所研發,經過數十年發展,已廣泛地應用在製造IC的製程之間。

這項技術目前是半導體業者唯一且有效地平坦化製程的步驟,這項平坦化技術的原理就是利用類似“磨刀”這種機械式的原理,並且在研磨過程中注入適當的化學藥劑,即研磨液(Slurry),利用研磨蝕的物理研磨及化學作用,將晶片表面高低起伏不一的輪廓一併加以“磨平”,並將晶片上面凸出的介電層(氧化層),漸漸地除去。目前只要CMP的製程參數控制得宜,晶圓的平坦度已可達到約9成以上。目前相關的設備及材料供應商包括美商應用材料(Applied Materials)、羅門哈斯(Rohm & Haas)等。


關鍵字 
應用材料(Applied Materials)羅門哈斯(Rohm and Haas)CMP
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