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韓國觀點(6/7):NAND Flash的競合趨勢

  • 黃欽勇
Flash大廠的技術發展時程。

相較於DRAM的積極投資,韓國雙廠在NAND的投資反而保守。關鍵在於DRAM的需求比NAND緊俏。但因NAND並非寡佔狀態,三星必須積極投資,而海力士也必須力爭上游。所以,各廠的投資都很積極,並往3D多層化的方向進展

與DRAM產業同樣的必須以良率在市場上競爭,加以十分耗電,因此小面積、大容量便成為競爭關鍵。2D的NAND Flash,在10xnm階段便遭遇技術壓力,因此三星、東芝向3D發展。相較於2017年,三星的資本支出會少一點點,但比起往年仍是大幅成長,而海力士、美光則是積極回應。

另一方面,目前三星以64層3D NAND為主力,下半年會推進到96層。英特爾/美光也將在2018年上半進入96層的技術規格,2018年中,也會將3D的比重提高到85%以上。

為32年資歷的產業分析師,一手創辦科技專業媒體《電子時報》(DIGITIMES),著有《巧借東風》、《電腦王國ROC》、《打造數位台灣》、《西進與長征》、《出擊》等多本著作。曾旅居韓國與美國,受邀至多家國際企業總部及大專院校講授產業趨勢,遍訪中國、歐美、亞太主要城市。現任經濟部顧問、外貿協會董事。