氧化鎵有機會取代矽、氮化鎵、碳化矽 成為電力電子應用主要材料
- 陳明陽／綜合報導
半導體材料氧化鎵(gallium oxide)具備高能隙、高崩潰電壓與高臨界電場，以及廣泛的導電可能性等現有半導體材料無法企及的特性，能處理更大電力且更輕薄，無需龐大冷卻系統即可在高溫運作，可望成為電力電子應用主要材料。
根據Power Ele...
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