ROHM推出PrestoMOS系列產品

具業界最快反向恢復時間適用於節能家電及EV充電樁。

半導體製造商ROHM推出600V耐壓超接合面MOSFET「PrestoMOS」系列產品，在保持業界最快反向恢復時間(trr)的同時，提高設計靈活度，非常適用於空調、冰箱等生活家電的馬達驅動以及EV充電樁， 而該「R60xxJNx 系列」產品群於近期又新增共30種機型。

此次研發的新系列產品與傳統產品同樣利用了ROHM獨有的LifeTime控制技術，實現了業界最快的反向恢復時間(trr)。與IGBT相比，輕負載時的功耗成功減少了58%左右。另外，透過提高導通MOSFET所需要的電壓基準，可以避免發生造成損耗增加原因之一的誤開啟(Self Turn-on)現象 。不僅如此，還透過最佳化內建二極體的具業界最快反向恢復時間適用於節能家電及EV充電樁特性，改善了超接合面MOSFET特有的軟恢復指數，可減少引發誤動作的雜訊干擾。透過減少這些阻礙使用者實行最佳化電路時的障礙，以提高設計靈活度。

據瞭解，在全球的功率需求中，近50%用於馬達驅動，隨著生活家電在新興國家的普及，馬達驅動帶來的功率消耗量預計會逐年增加。一般來說，包括空調和冰箱在內，生活家電多使用變頻電路進行馬達驅動，而變頻電路的開關元件通常會使用 IGBT。然而，近年來在節能效能需求高漲的大趨勢下，可有效降低裝置穩定運行時功耗的MOSFET正在逐步取代IGBT。

在這種背景下，ROHM於2012年成為第一家開始量產以業界最快反向恢復特性為特點的功率MOSFET PrestoMOS，且由於該系列產品可大大降低應用的功耗,因此受到市場的高度好評。

提高設計靈活度的關鍵

開關速度的高速化與誤開啟現象、雜訊干擾是相悖的，使用者在電路設計時需要透過調整閘極電阻來進行最佳化。與一般的MOSFET相比，ROHM的R60xxJNx系列已經採取了針對誤開啟現象以及雜訊的對策，有助於提高設計靈活度。

避免增加損耗的誤開啟對策，本系列產品透過最佳化MOSFET結構上存在的寄生電容，將開關時的額外閘極電壓降低了20%。另外，使MOSFET導通 所需的閾值電壓(Vth)增加了約1.5倍，是不易產生誤開啟現象的設計。因此，擴大了用戶透過閘極電阻來進行損耗調節的範圍。

改善恢復特性，減少雜訊干擾。一般來說，超接合面MOSFET的內建二極體的恢復特性為硬恢復。 然而，ROHM的R60xxJNx系列，透過最佳化結構，與傳統產品相比，新產品的軟恢復指數改善了30%，不僅保持了業界最快的反向恢復時間(trr)，還成功減少了雜訊干擾。因此，用戶可更輕易地透過閘極 電阻來調節雜訊干擾。