創意電子展示全球第一款7.2 Gbps HBM3 CoWoS平台 智慧應用 影音
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創意電子展示全球第一款7.2 Gbps HBM3 CoWoS平台

  • 周建勳台北

創意電子HBM3 CoWoS平台的主要特點。創意電子
創意電子HBM3 CoWoS平台的主要特點。創意電子

先進ASIC領導廠商創意電子(GUC)宣布,使用SK海力士(SK hynix)首次發布的HBM3樣本,完成了7.2 Gbps HBM3解決方案的矽驗證。該平台於台積電2022北美技術論壇(TSMC 2022 NA Technology Symposium) 展示,包含HBM3控制器、實體層、GLink-2.5D晶粒對晶粒介面,以及112G SerDes。此平台可支援台積電CoWoS-S(矽中介層)以及CoWoS-R(有機中介層)先進封裝技術。

此平台包含多個HBM3記憶體、GLink-2.5D晶粒對晶粒介面以及112G-LR通道,打造出符合CPU/GPU/人工智慧(AI)/網路(Networking)晶片的使用情境。創意電子除了建立架構並設計SoC、中介層和DFT、實體布局、高功率且高速的封裝之外,也與台積電合作CoWoS封裝以及最終測試。

GUC使用SK海力士(SK hynix)首次發布的HBM3樣本完成7.2 Gbps HBM3解決方案的矽驗證。創意電子

GUC使用SK海力士(SK hynix)首次發布的HBM3樣本完成7.2 Gbps HBM3解決方案的矽驗證。創意電子

創意電子目前正在申請專利的解決方案,能以任何角度完成HBM3 IP和記憶體之間在中介層上的匯流排佈線,同時仍保有與直線型HBM匯流排佈線相同的信號寬度和空間。與傳統的直角鋸齒形HBM匯流排佈線相比,此專利佈線更短、信號完整性更佳、速度更快且功耗更低。創意電子另一個正在申請專利的解決方案,可將HBM3記憶體匯流排拆分至位於兩個SoC晶片上的實體層,以便在2:6 或 2:10 的 SoC:HBM3記憶體使用情境下充分利用HBM3的頻寬。

創意電子控制器、實體層和平台所使用的SK海力士HBM3,能提供最高819 GB/s的頻寬。SK海力士DRAM商品企劃擔當柳成洙表示:「我們驗證了這款全球第一個最佳效能的HBM3,並開始量產。透過這次合作,SK海力士與創意電子也確認了雙方在HBM生態系統內的合作關係。我們非常高興能藉由這次的合作機會,驗證全球最佳的 HBM3解決方案,並鞏固雙方於DRAM市場的領導地位。」

創意電子副總經理徐仁泰博士則表示:「我們很榮幸能與台積電及SK海力士合作,展示並證明業界首個HBM3解決方案。我們的HBM3控制器和實體層,是奠基於創意電子在CoWoS/HBM2產品上長久以來的量產經驗。而7.2 Gbps的高傳輸速度,也使得我們能隨時因應客戶對速度持續不斷升級的要求。創意電子的優勢,在於我們擁有 HBM3、GLink-2.5D及GLink-3D IP產品組合、CoWoS、InFO_oS、3DIC設計專業知識、封裝設計、電氣和熱模擬、DFT和生產測試,以及量產製造經驗,因此能夠協助客戶順利開發CPU/GPU/AI/網路產品並快速量產。」更多相關資訊