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新世代功率元件現身 ROHM力推SiC方案

  • 台北訊
羅姆(ROHM)半導體主任工程師唐仲亨。

囿於成本及取得方便性等考量,傳統上多是採用矽(Si)製作功率元件,然而,近年許多設備逐漸朝向高功率及大電流發展,使得碳化矽(SiC)功率元件日益受到重視。SiC能夠降低切換損耗,擁有絕佳的切換特性,且在高溫環境下仍具備絕佳的工作特性,再加上高耐壓及低導通阻抗等特性,使得SiC相較於Si半導體更能實現小型化、低功耗與高效率目標的功率元件。

羅姆半導體主任工程師唐仲亨強調,「SiC很有機會成為新世代的低損耗元件。」ROHM自2010年開始量產SiC功率元件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來,領先業界進行各項新技術開發,是全球第一家進行全SiC功率模組和溝槽結構SiC-MOSFET量產的半導體公司。

為滿足市場對於SiC功率元件的需求,目前ROHM已齊備三大SiC產品線,包括SiC蕭特基二極體(Schottky Diode)、SiC場效應電晶體(MOSFET)、SiC電源模組等。

唐仲亨特別介紹SiC MOSFET指出,此元件在切換動作時沒有尾電流(tail current),能夠高速動作並降低切換損失;且晶片面積不需太大,即可達成低導通電阻,所以能做到低電容量與低Gate charge。此外,Si元件的導通阻抗會隨著溫度上升而增加2倍以上,SiC的導通阻抗增加量則相對較小,相當有利於產品的小型化與節能化。

 

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