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WDC推出96層3D NAND UFS 2.1嵌入式快閃記憶體

Western Digital公司推出96層3D NAND UFS 2.1嵌入式快閃記憶體(embedded flash drive;EFD)Western Digital iNAND MC EU321。Western Digital iNAND MC EU321專為高階行動和運算裝置所設計,包括人工智慧(AI)、擴增實境(AR)、多鏡頭高解析度攝影、4K影片拍攝等。

採用Western Digital的96層3D NAND技術、先進的UFS 2.1介面技術和Western Digital的iNAND SmartSLC 5.1架構,新推出的Western Digital iNAND MC EU321嵌入式快閃記憶體,為智慧型手機、平板電腦和個人筆記型電腦裝置帶來優越的數據效能,即使裝置容量空間接近全滿,還能有順暢的行動體驗。

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Western Digital iNAND MC EU321專為高階行動和運算裝置所設計。

Western Digital產品行銷資深總監Oded Sagee表示,行動裝置已成為日常連網生活的中心。隨著5G連網速度、4K高畫質影片、擴增實境和虛擬實境等應用興起,也促使著智慧型手機、平板電腦和筆記型電腦所需具備的功能持續轉型;使用者對於產品的期待,以及支援這些豐富使用者體驗的技術需求也越來越高。

Oded Sagee進一步指出,Western Digital的3D NAND技術提供使用者更大的嵌入儲存容量,以支援整個智慧型手機生命週期中的數據需求。此外,相較於採用傳統儲存架構的裝置在儲存容量近滿時效能會降低,專為維持高效能而打造的Western Digital iNAND MC EU321嵌入式快閃記憶體,能持續創造、保存並享受一致的數位體驗。

研究機構Counterpoint Research表示,2017到2021年間NAND flash平均儲存容量年複合成長率(CAGR)將高達28%,主要是由於成熟平板電腦使用者壓抑已久的換機需求所帶動,特別是隨著娛樂及生產力成為主流使用情境,開始將裝置升級為螢幕更大、容量更高的功能強大連網機種。

所有這些數據密集的應用都需要更大容量和更快速度,以滿足消費者對行動裝置隨時隨地都能即時運作(on-the-go)的期望。2018年上半出貨智慧型手機的嵌入式儲存容量,相較2017年上半增加了40%,平均每支智慧型手機都有51 GB的儲存容量,從而帶動市場對更高容量和更智慧儲存技術的需求提升。