扇出型封裝面對更大面積封裝與更多應用　Foundry與OSAT提供多元解決方案因應

• 扇出型封裝具有低成本與高I/O密度特性　並可依照產品應用客製化封裝架構
• 扇出型封裝可分為Chip First與RDL First　對應晶片成本敏感度進行選擇
• 依照扇出型封裝的I/O密度不同　可分別對應不同運算需求之應用產品
• 各廠商積極布局扇出型封裝技術　並依照目標市場進行封裝架構設計
• 台積電InFO架構以蘋果為主要客戶　並積極切入系統級封裝
• 日月光FOCoS系列採用Chip Last製程　整合多晶圓廠晶片
• 艾克爾以S系列為基礎　發展去矽化技術推動製程微縮並提升I/O密度
• 力成專注推動面板級扇出型封裝　目標2026年底量產
• 扇出型封裝面積擴展潛力大　然大電流負載應用與電遷移效應仍存在課題
• 因應封裝面積需求持續提升　RDL層面積擴展潛力大為重要優勢
• 電遷移效應顯著以及電容尺寸較大為扇出型封裝之發展課題
• 扇出型封裝未來重點關注FOPLP與WMCM之進展
• FOPLP可有效提升晶圓利用率　並加速晶片量產
• 台積電藉由WMCM重回平面封裝　提升散熱效率並縮短處理器與記憶體間的互聯延遲