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TSV 3D IC技術與市場起飛仍需克服諸多挑戰
DIGITIMES研究團隊
TSV 3D IC技術雖早於2002年由IBM所提出，然而，在前後段IC製造技術水準皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術發展速度可說是相當緩慢，直至2007年東芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術加以堆疊推出體積更小的鏡頭模組後，才正式揭開TSV 3D IC實用化...
目錄
- TSV 3D IC技術藍圖規劃
- 高度整合晶片技術發展方向
- TSV 3D IC主要技術
- TSV Via First 製作流程與優缺點
- TSV Via Last 製作流程與優缺點
- TSV Via Middle 製作流程與優缺點
- TSV 3D IC Via Middle 與 Via Last 陣營主要廠商
- 跨入TSV 3D IC所面臨製作技術挑戰
- 來自晶片封裝交互作用的進階挑戰
- TSV 3D IC技術發展方向：縮短TSV孔距
- TSV 3D IC技術與市場要起飛 仍將面臨諸多挑戰
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