全球主要半導體廠相繼投入TSV 3D IC 高度異質整合將為技術發展重要方向
隨晶片整合度提高,除讓晶片設計成本與時間隨之增加外,晶片面積亦隨晶片複雜度的提升而增加,在終端產品持續朝短小輕薄與節能省電方向發展下,更促使半導體廠商於製程微縮研發的持續投入。根據摩爾定律(Moore’s Law)的預期,隨晶片製程...
- Toshiba與意法皆將TSV 3D IC技術專注於Sensor應用
- Samsung TSV 3D IC技術於高容量DRAM產品應用
- 爾必達推出高容量TSV 3D IC DRAM模組
- 與PoP相較 TSV 3D IC於IC面積、省電、頻寬等方面更具優勢
- 美光推出混合儲存立方體(HMC)技術
- TSMC TSV 3D IC技術藍圖
- Xilinx將台積電28nm製程2.5D IC技術導入FBGA量產
- 2010~2013年力成技術藍圖
- 2010~2015年日月光技術藍圖
- 全球主要TSV 3D IC投入者技術比較
- IC高度異質整合發展 為未來半導體技術發展必然趨勢
若想立刻加入付費"Research"會員,請洽詢
客服專線:
+886-02-87125398。(週一至週五工作日9:00~18:00)
客服信箱:
member@digitimes.com (一個工作日內將回覆您的來信)
- 追溯至2000年,洞察產業脈動
- 優質報告,助攻精準決策
- 八大主題,23產業頻道涵蓋
- 七大全球數據庫,掌握市場趨勢