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3D NAND Flash層數增加 於薄膜蒸鍍製程面臨生產效能與沉積層彎曲課題
DIGITIMES研究團隊
DIGITIMES Research觀察，3D NAND Flash自垂直堆疊48層朝64層邁進，除蝕刻通道厚度增加可能需改採乾蝕刻技術外，由於呈氧化物-氮化物-氧化物交替式沉積的薄膜層數增加，面臨生產效能待提升、沉積層易彎曲、缺陷碰撞更嚴重等課題...
目錄
- 薄膜沉積為3D NAND Flash垂直堆疊層增加的課題之一
- 化學與物理氣相沉積主要特性比較
- 化學氣相沉積製程設備主要構造
- 電漿與低壓化學氣相沉積法主要特性比較
- 3D NAND Flash自垂直堆疊48層朝64層發展在薄膜沉積方面的主要挑戰
- 3D NAND Flash自垂直堆疊48層朝64層發展在薄膜沉積方面的目標與理想
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