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原子層沉積適用於多層3D NAND Flash 然製程時間與成本增加為新課題
DIGITIMES研究團隊
垂直通道填充金屬係3D NAND Flash朝64層以上垂直堆疊發展的關鍵課題之一，DIGITIMES Research觀察，原子層沉積(Atomic Layer Deposition；ALD)製程可於高深寬比(High Aspect Ratio)垂直通道中，大面積形成均勻性薄膜...
目錄
- 64層以上3D NAND Flash於蝕刻與沉積製程三大課題
- 64層以上3D NAND Flash於薄膜沉積、垂直通道及ALD製程變化
- 64層以上3D NAND Flash於通道填充金屬主要課題
- 原子層沉積製程4個階段
- 原子層沉積相對電漿化學氣相沉積適用於凹凸結構
- 原子層沉積與電漿化學氣相沉積主要特性比較
- 64層以上3D NAND Flash於薄膜沉積、貫穿通道及填充金屬的解決方法
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