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新興半導體材料GaN具高頻與高功率特性 於5G基地台應用可望快速成長
DIGITIMES Research分析，寬能隙(wide band gap)材料氮化鎵(GaN)因具高功率、高頻率、高能量轉換率等特性，是5G時代功率放大器(PA)理想的半導體材料，隨著5G基礎建設升溫，預估GaN需求在基地台應用可望大幅增加。<br> 5G通訊頻帶遠較4G寬廣，然高頻操作下，因波長較短，訊號易受障礙物干擾或衰減，恐導致傳輸距離縮短及訊號品質下降，因此5G通訊採用Massive MIMO多天線陣列解決方案，透過增加天線數量，改善訊號覆蓋範圍與提升訊號品質。<br> 相較於應用處理器(AP)與數據機(modem)晶片伴隨製程工藝提升，增進晶片效能，射頻(RF)元件效能精進主要將以材料轉換為出發點。5G射頻元件的功率放大器除須滿足高頻與高功率特性，射頻元件體積也須縮減，以克服眾多天線佔據空間過大的問題。<br> 傳統半導體矽(Si)材料已達物理極限，無法滿足5G射頻元件高頻與高功率需求，相較之下，GaN在5G基地台射頻應用則屬於較理想的材料。隨著5G基地台大規模布建，將可帶動GaN需求成長。
目錄
- 因應5G高頻高功率通訊特性 GaN為功率放大器材料首選
- GaN適用於高頻高功率應用
- GaN-on-Si因成本較低 長期潛力較為看好
- GaN與GaAs在5G應用將各司其職
- 5G Massive MIMO採用GaN 將有助縮小天線模組面積與減少功耗
- 射頻IDM大廠握資源整合優勢 於5G時代GaN發展仍居有利位置
- 5G GaN成長潛力佳 吸引眾多業者投入
- 5G需求將帶動基地台射頻市場成長
- GaN市場逐年攀升 於基地台應用銷售額比重及成長率均將領先
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