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伴隨晶片封裝密度要求持續提高 晶片互連將朝混合鍵合技術發展
DIGITIMES Research觀察，互連(interconnect)技術是晶片間的溝通橋梁，從傳統的打線(wire bond)、覆晶封裝(Flip Chip；FC)、微凸塊(µbump)到矽穿孔(Through Silicon Via；TSV)、重布線層(Redistribution Layer；RDL)...
目錄
- 晶片互連技術多元 實現晶片水平整合或立體堆疊
- 英特爾EMIB可提供較覆晶封裝更高的互連密度
- 台積電將推出類似英特爾EMIB的LSI晶片
- 矽品推出FOEB解決方案 鎖定Chiplet與HPC晶片封裝
- 英特爾將推出混合鍵合技術 封裝密度較Foveros更高
- 台積電SoIC封裝密度將較傳統微凸塊大幅提升
- 格芯也投入混合鍵合技術研發行列
- 晶圓製造與封測業者積極布局互連技術
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