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從3C產品快充到太空、伺服器及車用 GaN功率元件應用逐步擴展
DIGITIMES研究團隊
氮化鎵(GaN)功率元件相較於傳統矽(Si)元件，由於具有較佳的輸出功率及功率密度，已快速滲透至3C產品充電器中。現行GaN功率元件用晶圓主要透過GaN磊晶(epitaxy)方式，...
目錄
- 能隙與晶格常數為磊晶生長關鍵 GaN磊晶可依晶格差異 搭配數種不同基板
- 考量基板尺寸及成本 GaN on Si成為功率元件結構首選
- 新創GaN快充設計業者興起 嘗試打造多元終端應用
- GaN功率元件不只用於3C產品快充 太空、資料中心、車用、能源及工業領域亦陸續導入
- GaN快充便利性及對環境友善 有助於3C產品快充滲透
- GaN功率元件有效推升資料中心供電效能 其元件結構與體積微縮亦有益太空應用
- 能源轉換率、微型化及精準控制特性 有助加速GaN功率元件於能源轉換器及工業應用
- GaN功率元件逐步用於電動車小電壓供電系統 有利組裝廠降低成本並提升電動車行駛距離
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