主導GaN與SiC產業各有差異 降低基板及功率元件成本皆為目標
DIGITIMES Research觀察,氮化鎵(GaN)元件終端市場以3C產品充電為主,並以IC設計業者較具話語權,碳化矽(SiC)元件終端市場以車用半導體為主,以IDM業者擁有主導...
- GaN功率元件設計業者主導3C產品快充 SiC功率IDM商導引車用半導體發展
- 因具備較高靈活度 設計業者主導GaN on Si供應鏈
- 現行GaN功率元件難題為異質磊晶結構 日本提出擴大GaN基板與減少元件耗損新法
- 隨3C產品迅速導入GaN快充 新興製造商相繼投入生產
- 基板、磊晶及IDM產業於SiC on SiC供應鏈為重中之重
- 現行SiC基板供不應求 各大IDM業者加速布局8吋產能
- Wolfspeed挾基板優勢速攻8吋SiC元件 各家IDM業者及Tier 1無不急起直追
- 溝槽與平面式SiC MOSFET結構陣營各有IDM擁護者
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