第四類半導體明日之星β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>　領航未來工業及能源應用新商機

DIGITIMES研究團隊

第四類半導體材料特性較第三類半導體於高功率終端擁有優異表現，考量上游基板及磊晶生長難度，第四類半導體氧化鎵β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>逐漸脫穎而出，由於β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板長晶生成方...

目錄
  • 能隙、啟動電阻率及崩潰電場/電壓為功率元件重要指標
  • 第四類半導體適用於高功率終端　然受長晶技術限制　β-Ga2O3基板最有望出線
  • β-Ga2O3長晶較其他成熟　基板擁有透明及較大尺寸特性
  • β-Ga2O3因基板生成容易　供應鏈發展較其他第四類半導體快速
  • β-Ga2O3可穩定存在任何溫、濕環境　美商務部禁令將部分影響中系β-Ga2O3商用規畫
  • β-Ga2O3長晶與Si常用生長方法雷同　未來待更多上游業者加入　將有助降低基板成本
  • β-Ga2O3磊晶生長所需溫度較第三類半導體低　有利元件製造與供應鏈發展
  • 因基板較SiC取得容易　中長期β-Ga2O3供應鏈與SiC有機會達成本逆轉
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