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展會觀察：Semicon Japan 2023第三類半導體以上游材料技術進展為亮點
DIGITIMES研究團隊
DIGITIMES Research觀察Semicon Japan 2023在第三類半導體領域的展示，主要著重於氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)材料技術的精進，如六甲電子SiC晶圓減薄技術、大阪大....
目錄
- Semicon Japan 2023聚焦第三類半導體上游材料進展
- 晶圓減薄業務已逐步擴展至第三類半導體—以六甲電子SiC為例
- CMP拋光設備搭配光學檢測 有利增進晶圓減薄成效
- 六甲電子於晶圓減薄較一般業者擁有豐富的加工經驗
- 不同品質、基板及磊晶成本構築多元GaN結構
- 氫化物氣相磊晶法有助加快GaN on GaN生成速率
- QST熱膨脹係數與GaN近 信越欲推開GaN應用大門
- 信越與沖電氣共推GaN元件轉移技術 以降低生產成本
- 生長速率緩慢且成本高為單晶SiC基板昇華法劣勢
- 生長速率快及成本適中為多晶SiC基板CVD法特性
- Sicoxs成功鍵合單晶與多晶SiC 以製程優勢搶進市場
- 上游材料發展有助第三類半導體製程持續精進
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