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| DIGITIMES Research觀察，現行氮化鎵(GaN)功率元件多為矽基氮化鎵(GaN on Si)結構，隨中系IDM配合中國政府政策，且快速滲透小電壓(30~150V) 3C產品快充(fast charger)市場，推動非中系IDM、IC設計及IC製造商轉往大電壓(650~700V)終端應用布局，這使全球GaN功率供應鏈逐漸形成兩派競局，而GaN基板將成為GaN功率元件擴展新應用的重要關鍵。 現行GaN功率元件多為GaN on Si異質磊晶結構，然元件運行容易產生熱能，此時尋求如碳化矽(SiC)及GaN基板成為重要解決方案，隨散熱及能效轉換條件持續精進，DIGITIMES Research預估，未來7年內GaN on SiC及GaN on GaN有望商用。 現階段GaN功率半導體主流市場為能效要求不高的3C產品快充，且中系IDM英諾賽科配合中國政府政策而快速擴張該領域市佔，因此，羅姆(Rohm)及英飛凌(Infineon)等非中系IDM轉投入能效要求較高的交通、工業等應用領域。 英諾賽科以低價快速搶佔GaN功率元件小電壓快充應用市佔，但也關注大電壓用市場布局；非中系IDM、IC設計及IC製造等除目標鎖定大電壓應用外，美商宜普(EPC)亦對英諾賽科於結構與製程專利侵權提起訴訟，DIGITIMES Research認為，上述事件確阻礙中系供應鏈發展進程。再者，非中系IDM購併靈活度較高的IC設計商，以及部分IC製造商投入GaN功率元件晶圓代工，非中系業者供應鏈發展相對多元。 |
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