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氧化鎵為次世代功率半導體首選 日商NCT及Flosfia發展進程快
DIGITIMES研究團隊
DIGITIMES Research觀察，氧化鎵(Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)適合於高功率、高電壓及特殊嚴苛環境操作，且由於Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板及磊晶製程較其他第四類半導體容易，因此Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>供應鏈發展進程...
目錄
- 第四類半導體具高能隙等特性 可應用高功率等終端
- 第四類半導體具更高能隙 適用再生能源等終端類型
- 基板、磊晶及業者陸續投入 Ga2O3供應鏈開發進程快
- Ga2O3較SiC具高電壓 適合超高及高電壓終端操作環境
- 工業、太空及電動車終端相繼使用Ga2O3半導體
- 日系業者積極擴張Ga2O3供應鏈開發進程
- Ga2O3半導體發展進程尚有如散熱等挑戰待解
- 日本功率半導體及空調等業者紛紛入股NCT及Flosfia
- NCT及Flosfia於開展Ga2O3半導體製程方式分歧
- NCT以減薄及封裝提升散熱 Flosfia散熱由異質磊晶增進熱導率
- NCT及Flosfia於Ga2O3元件P型半導體製程尚待精進
- Ga2O3發展進程快 日商NCT及Flosfia積極投入製程開發
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