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碳化矽功率元件朝超接合面結構開發 MOSFET耐壓將提升至10,000V
DIGITIMES Research觀察，因碳化矽(SiC)功率元件具寬能隙(wide band gap)和高崩潰電場(breakdown voltage)等特性，使SiC功率元件可應用於高功率與高電壓的操作環....
目錄
- SiC與Si應用有重疊 但可耐受更高頻、高功率場景
- 受惠材料特性 SiC在功率應用上較Si更具優勢
- SiC在製作元件時的優勢為高耐壓和低電阻
- SiC功率元件特性適用於工業和交通應用場景
- SiC功率元件應用場景多元 惟成本仍是普及關鍵
- 1,200V~3,300VSiC元件已進入商用 但仍在導入期
- IGBT兼具BJT與MOSFET耐高壓、驅動電流小等優點 但開關速度慢是缺點
- 雙極性元件可利用電導率調變降低電阻 缺點是開關速度較慢
- 根據不同電壓場景使用矽或碳化矽做半導體元件
- 適用於超高電壓場景的SiC超接合面結構正在開發中
- SiC功率元件適用於高電壓應用場景 開發適用於3,500V以上應用場景的超接合面結構
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