氮化鎵用於Micro LED與HEMT具備龐大商機　跨域合作並朝矽基開發將可改善良率並擴大應用

DIGITIMES研究團隊

氮化鎵(GaN)做為一種具備寬能隙、高電場強度及高速電子傳輸特性的半導體材料，在光電及高效能電子應用中具有獨特優勢，現今已成為新世代Micro LED顯示技術和高速射頻...

目錄
  • 顯示技術特性比較表
  • 兩種RGB三色磊晶製程的Micro LED
  • Si、GaAs、GaN材料特性列表
  • GaN HEMT射頻應用在不同基板材料的特性比較表
  • 恩智浦GaN-on-SiC HEMT和Si-LDMOS功率放大器規格列表
  • 英特爾GaN-on-Si HEMT結構示意圖
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