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高功率終端應用驅動SiC元件全面進化
DIGITIMES研究團隊
2025年半導體產業持續受AI、高效能運算與電動車等需求驅動，先進製程與先進封裝同步加速演進，材料、基板與製程設備的重要性顯著提升。從SEMICON Japan 2025的展示內容可觀察到，日本半導體產業專注在先進製程、化合物半導體(包含SiC、GaN等)，以及方形矽基板、混合鍵合等新型技術上，已成為觀察先進製造競爭力的關鍵指標...
目錄
- SiC加速電動車發展 充電時間縮短、能源效率再進化
- NVIDIA推進800V HVDC 業者布局SiC與GaN元件
- SiC元件性能重點在平衡導通損耗、開關損耗與EMI抑制
- 70mΩ級SiC由歐系領跑高頻效能 美日聚焦高溫可靠
- 50mΩ級SiC MOSFET 歐系業者憑低損耗技術領先 日系業者以可靠性與壽命長差異化突圍
- 平面型成熟穩定、溝槽型效率領先 JFET展現高壓潛力
- 溝槽型結構逐漸成為SiC MOSFET主流
- SiC MOSFET大多採用TO與D-PAK封裝方式
- SiC各業者技術水平相當 市佔變化不大
- 高功率終端應用驅動SiC元件全面進化
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