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高頻GaN與BDS技術助力英飛凌掌握高效電力轉換技術主導權
隨著AI資料中心電力需求持續攀升，電源系統正面臨高功率密度、低損耗與高效率的多重挑戰。傳統矽製程功率元件在高頻、高電壓環境下的表現逐漸逼近極限，推動第三代半導體GaN在資料中心、工業與航太等領域加速滲透。從產業布局觀察，GaN以高頻、高效率、高功率密度等特性，已成為下一世代電源轉換的重要材料...
目錄
- GaN功率元件在多個應用市場進入產線擴增期
- NVIDIA倡議的HVDC 800V電源傳輸架構 有望推動GaN功率元件市場持續擴張
- 多家業者推出應用於資料中心的600V與100V GaN元件
- 英飛凌的GaN市佔持續成長
- 英飛凌與英諾賽科互控專利侵權 雙雙勝訴
- 英飛凌的PSU在一次側採用SiC 二次側採用GaN
- 英飛凌的BDS將電晶體開關功能整合至單一封裝中 簡化設計並進一步降低功率損耗
- GaN為電動車應用帶來更高效能與更低系統成本
- 英飛凌預估人型機器人市場規模於2050年達1.7兆美元
- 高頻與BDS技術成為英飛凌GaN功率元件重要發展策略
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