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FR3頻段帶動PA新需求 GaN-on-Si射頻功率元件有望走向手機與大規模終端市場
DIGITIMES研究團隊
行動通訊的持續演進，關鍵零組件功率放大器(PA)的材料應用領域逐漸明確區分，FR1頻段長期由砷化鎵異質接面雙極性電晶體(GaAs HBT)主導，FR2頻段因陣列天線與高整合需求，採用RF CMOS或BiCMOS技術。如今射頻業界關注的新場域，是落在介於兩者間的FR3頻段，此頻段同時要求高頻率增益與高效率功率輸出，對GaAs HBT與RF CMOS而言，皆涉及材料與結構層面的物理條件限制，因此FR3頻段的發展，成為GaN-on-Si射頻元件能否能進入智慧型手機與大規模終端市場的關鍵指標。...
目錄
- GaN on Si以成本優勢重新成為射頻市場關注的焦點
- GaAs HBT以效率與產業成熟度長期主導手機PA 然於更高頻段漸顯極限
- GaAs HBT的量產與供應鏈基礎穩健
- FR3帶來的新挑戰與GaN-on-Si發展潛力
- 英特爾以300mm單晶整合挑戰射頻產業格局
- 格羅方德與Finwave以200mm平台推進GaN on Si 的產業化
- Sony Semiconductor Solutions以系統補償展示GaN-on-Si滿足手機規格的可能
- 結語
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