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High NA EUV將迎華麗轉身 全幅視野與供應鏈同時升級成2033年EUV設備關鍵要素
DIGITIMES觀察，曝光技術是先進製程持續微縮的核心驅動力。當Low-NA EUV逐漸逼近單次曝光極限，0.55 NA的High-NA EUV將解析度由13奈米推進至8奈米，卻也帶來景深縮小、曝光視野減半與成本上升等取捨。...
目錄
- 曝光技術演進持續突破製程微縮極限
- 先進製程曝光技術發展歷程
- 光學繞射極限的解析度公式及各微縮手段影響
- DUV到EUV的曝光技術演進與各階段圖形化策略
- 自對準多重圖案化、雙重曝光蝕刻流程特性與應用對照
- 半幅視野與拼接技術為High-NA EUV最大挑戰
- High-NA半幅視野與大型晶片拼接方式示意圖
- 反射式光罩的限制與非對稱倍率光學設計
- 6x12吋光罩導入效益與發展時程
- 6x12吋光罩導入瓶頸挑戰及潛在供應商
- 全球業者High-NA EUV導入時程一覽
- EUV核心設備與材料供應鏈
- EUV核心設備供應鏈與市佔
- EUV週邊相關材料供應鏈與市佔
- 結語
- High-NA EUV邁向主流量產的關鍵決策因素
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