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功率半導體IGBT市場前景明朗 製造端8吋遷移至12吋漸成趨勢
DIGITIMES研究團隊
DIGITIMES Research觀察，絕緣閘雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)受益於新能源與碳中和發展趨勢，2021~2027年市場規模將以複合年均成長率...
目錄
- IGBT兼具BJT與MOSFET性能特點 是大功率電子裝置中電路控制與電力轉換的核心
- Si-IGBT適用範圍主要涵蓋中高壓終端應用場景
- 2021~2027年IGBT全球市場規模CAGR將達7% 2027年模組佔比估升至85%
- 交通運輸與能源應用是全球IGBT市場主要成長動能
- 全球IGBT市場高度集中 前三大業者合計市佔率過半
- IGBT產業技術壁壘—設計環節 核心是穩定性與可靠性 而非極致的性能表現
- IGBT產業技術壁壘—製造環節 晶圓薄化與背面製程是從8吋推進至12吋生產的主要難點
- IGBT產業技術壁壘—封裝環節 可靠度與散熱是模組性能關鍵 倚賴設計與材料創新
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