由於電動車、綠能、儲能、雲端等行業的快速發展，高效率以及高功率密度的需求正在大幅增加，具有高功率低功耗等優勢的第三代「寬能隙半導體」，例如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等，已然成為了半導體先進材料的代表。碳化矽因具耐高溫高壓、高切換頻率及低能耗等特性，適用於高電壓的馬達驅控器及充電設備產品，據統計，SiC元件於2025年市場價值預計將超過25億美元，其中逆變器、車載充電器、直流轉換器將是最大市場，深受國際電動車業者青睞，可望成為電動車產業的明日之星，在高電壓(800V 以上)馬達驅控器及充電設施等相關領域上也有巨大的潛力。

有鑒於此，科銳 ( Cree, Inc. )身為全球全球碳化矽（SiC）氮化鎵(GaN)技術領導品牌，今年度將於 9/9舉辦「Cree | Wolfspeed 次世代SiC電源解決方案研討會」。內容將包含如何透過顛覆性技術解決方案，打造一個更節能永續的未來；同時，也會分享科銳如何與夥伴們推動技術領域的重大轉變，打造更高能效的能源系統、降低散熱需求和領先業界的可靠度，從而更快地推出新一代的電源產品解決方案。