高新科技的突破發展與放大應用,無不需要高效能源電力為後盾,
讓SiC、GaN發展動態備受重視,在高功率市場逐步取代Si基元件。
依據OMDIA報告,寬能隙半導體產值,2021~2025的年複合成長率達43.7%,
為半導體市場中成長最迅速的領域…
市場研究公司Yole稱,到2027年底,GaN和SiC元件將佔功率半導體市場的30%,
並進而取代矽MOSFET和IGBT…
回顧這場技術迭代史,
2018年Tesla率先整合SiC元件到Model 3車款,自此掀起SiC狂潮;
5G毫米波規格底定,讓具備超高頻開關的GaN進入市場目光;
近期暴發的HPC與AI伺服器熱潮,則讓PSU也吹起WBG風…。
然而寬能隙半導體的發展也絕非一帆風順,
如年初Tesla喊出減少75%的SiC需求,便讓Si基IGBT重回鎂光燈焦點…
面對市場與技術的考驗,與低碳化的未來趨勢,
電力電子在新材料、新技術與新設計的組合變化下,
將帶來怎樣的競逐與混搭策略? 又將扮演怎樣的關鍵性角色?
電子研究所教授
國立陽明交通大學
系統應用工程師
德州儀器
Senior Application Engineer
Ansys
資深工程師
英飛凌科技
Staff FAE
台灣亞德諾半導體
所長
鴻海研究院半導體研究所
Senior FAE
Power Integrations
台灣技術中心 副理
羅姆半導體
技術經理
品勛科技
技術長
乾坤科技
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