隨著電動車、綠能節電的市場蓬勃發展及快速充電的需求興起,對於體積小高效能之寬帶隙功率器需求越益強大,強調節能環保、體積小、和低工作溫度的要求下,市場正轉向氮化鎵第三代半導體的舞台。
英商牛津儀器研發多年的原子層刻蝕(Atom Layer etch, ALE)與原子層沉積技術(Atom Layer deposition, ALD),針對氮化鎵(GaN on Si) D-mode 及E-mode 高功率器件提供完整的解決方案,強調幾近零電漿損傷(plasma damage free)與低製造成本,讓你超前佈局綠色未來。