隨著功率半導體的發展趨勢，寬能隙器件：SiC 和 GaN 改變了電源設計的方程式，實現了效率、可靠性和外形尺寸方面的突破。英飛凌擁有涵蓋Si、SiC及GaN完整的產品組合和應用專業知識，可根據客戶的需求引領市場，在汽車應用及電源供應、再生能源領域提供最適合的系統性解決方案及技術支援。
在技術方面，英飛凌在功率半導體的技術發展取得領先，例如：是最早將超接面 (Super Junction) 技術商用化，以及最早採用12吋晶圓生產高壓功率半導體的廠商，同時其 SiC 元件採用溝槽式設計，兼顧柵極層的強固性與元件效能。
在製造方面，英飛凌也完整橫跨從前端到後端的製造，完全掌握產能及品質控管。同時也持續擴展對於晶圓廠的投入，英飛凌位於奧地利菲拉赫 (Villach) 的全自動化12吋晶圓廠預計將於今年下半年完工啟用，稍早並透過併購Siltectra公司取得冷切割 (Cold Split) 技術，將有助於產能提升及成本優化，維持長期競爭力，為客戶提供穩定，可靠的品質與供貨能力。
定位於功率、效率和密度
英飛凌科技公司提供基於Si，SiC和GaN的電源產品。 這使客戶有機會應用在交流到直流的整個線路設計，針對這三種產品技術的定位，以圖示的方式來作為解釋：
定位於功率、效率和密度
CoolMOS™ 7、CoolSiC™ 和 CoolGaN™ 相得益彰。在重疊區域，英飛凌可以為每個用例提供最佳解決方案。
CoolMOS™:
- 在各種應用中保持成本/性能優勢
- 某些功率密度限制下的高效率表現(高達97％)
- 易於設計和實現
- PFC拓撲和諧振拓撲，涵蓋從45 kHz到300 kHz的開關頻率
- 評估時間短，在PSU中使用矽的經驗豐富
CoolGaN™:
- 最高效率和密度的實現
- 最適合在增加頻率的同時保持高效率
- PFC圖騰式(totem-pole)架構以及在更高頻率的任何諧振硬開關拓撲技術
- 使用子卡小版/ SMD優化設計方法
CoolSiC™:
- 高效率和高密度：將高功率與高溫工作條件相結合的應用
- PFC圖騰式(totem-pole)架構和任何諧振硬開關拓撲技術
- 堅固性
功率半導體發展及市場需求
全球數個重大趨勢，包括有限的能源、政府規範、物聯網及大數據的發展，將帶動更多用電需求等，使整體功率市場持續成長。其中第三代半導體材料SiC 與GaN也開始進入成長期，根據市調機構預估，每年的CAGR都將是非常可觀的。 SiC 與GaN分別憑藉其耐高壓及高頻的特性，應用範圍相當廣泛，例如：發電、工業馬達、電動車等，將與矽功率元件一同在整體市場中擁有各自的利基點。
SiC 元件耐高溫高壓的特性，已在EV應用中嶄露頭角，將成為最大宗的應用，而在能源及工業應用也將逐漸發酵。而GaN功率元件的高頻特性有助於縮小系統尺寸，降低功耗，消費性市場及電信設備應用將成為主力。而大量的數據產生，會另一步推升數據中心運算和電源的需求，包括人工智能的應用以便更有效地處理和應用數據。
第三代半導體的應用趨勢
- 太陽能逆變器：SiC 可實現更高的功率密度及效率，特別適合大功率應用。功率密度的提高有助於縮小設計的體積。高效率則意謂被浪費的能量(熱量)減少了，降低了整體系統的尺寸、重量和成本。太陽能逆變器的重要指標就是效率，隨著逆變器的功率越來越大 (商用建置達300kW)，且這類應用的運作時間非常長，採用SiC設計所帶來的系統性效益將更為顯著。
- 電動車充電站：電動車的普及，同步也需要各種充電站的建置。SiC在充電站的應用也具有相當的潛力，尤其是在快速充電站的部分，需要在例如15分鐘內充滿80%的電力，因此對效率及體積特別要求，SiC在這方面就能發揮其特有的優勢。
- 數據中心和5G的電源設計：數位化與5G時代的到來，讓我們將更仰賴數據中心所提供的服務 -- 越來越多與頻繁。這將造成數據中心建置需求的增加，從而也推升了所需的電源供應。第三代半導體(GaN 和 SiC ) 的導入，可以讓數據中心的電源轉換效率提升(降低電源的損耗) ，當損耗降低，冷卻系統的功耗自然變少。
- 行動裝置電源：消費者都希望有一個輕薄短小的充電裝置，因此希望攜帶的充電器是越小，越輕，越高轉換效率愈好。第三代半導體(GaN) 由於切換的速度更快，能有效地降低切換損失 ( 增加效率) ，也可以把操作頻率變高，降低磁性元件的大小，就可以實現輕薄短小，而且高效的充電裝置。