英飛凌CoolSiC™：最完善的SiC MOSFET 技術
英飛凌CoolSiC™ MOSFET 650 V 系列，為更多應用帶來最佳可靠度與效能
英飛凌科技公司提供基於Si，SiC和GaN的電源產品。 這使客戶有機會應用在交流到直流的整個輸電線路，針對這三種產品的技術定位，以圖示的方式來作為解釋：
CoolMOS™:
- 在各種應用中保持成本/性能優勢
- 某些功率密度限制下的高效率表現（高達97％）
- 易於設計和實現
- PFC拓撲和諧振拓撲，涵蓋從45 kHz到300 kHz的開關頻率
- 評估時間短，在PSU中使用矽的經驗豐富
CoolGaN™:
- 最高效率和密度：最佳FOM效率x功率密度
- 最適合在增加頻率的同時保持高效率
- PFC圖騰式(totem-pole)架構以及在更高頻率的任何諧振硬開關拓撲技術
- 小卡(PCB板)/ SMD優化設計方法
CoolSiC ™:
- 高效率和高密度：將高功率與高溫工作條件相結合的應用
- PFC圖騰式(totem-pole)架構和任何諧振硬開關拓撲技術
- 耐用性與可靠度
CoolSiC™ MOSFET擁有快速內部飛輪二極管，因而可在無需外加二極管的情況下實現硬開關。由於是單極性，尤其在部分負載條件下，MOSFET具有與溫度無關的極低開關損耗及導通損耗。
英飛凌 CoolSiC™ MOSFET 能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求，包括：伺服器、電信和工業電源、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等。
更多有關CoolSiC™ 產品資訊，請連結至官網瀏覽：https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/silicon-carbide/discretes/
特點：
- 低電容效應
- 開關損耗受温度影響小
- 具有極低反向恢復電荷的內部飛輪二極管
- 無門檻電壓導通特性
優勢：
- 絕佳的閘極氧化層可靠性
- 最優的開關損耗和導通損耗
- 與IGBT兼容的驅動（+18 V）
- 啟動電壓Vth > 4 V
- 短路抗雪崩能力強
益處：
- 效率高，降低冷卻需求
- 壽命延長，可靠性提高
- 操作頻率提高
- 系統成本降低
- 功率密度提高
- 系統複雜度降低
- 易於設計和實現
CoolSiC MOSFET 650 V 導通電阻介於 27 mΩ 至 107 mΩ，採用常見的 TO-247 3腳和 TO-247 4 腳封裝，有助於進一步降低切換損耗。如同先前推出的所有 CoolSiC MOSFET 產品，其中 650 V 系列亦採用英飛凌先進的溝槽式半導體技術。
英飛凌CoolSiC MOSFET 650 V 導通電阻介於 27 mΩ 至 107 mΩ，採用常見的 TO-247-3和 TO-247-4封裝，有助於進一步降低切換損耗。如同先前推出的所有 CoolSiC MOSFET 產品，新的 650 V 系列亦採用英飛凌先進的溝槽式 (trench) 半導體技術，使 SiC 強大的物理特性能獲得最大的發揮，確保裝置達到最優異的可靠度、同級最佳的切換損耗和導通損耗。同時，這些裝置具備最高的跨導等級 (增益)、4 V 啟動電壓 (Vth) 和短路耐用度。溝槽式技術能使應用達到最低的損耗，和最高的運作可靠度，同時兼顧全方位效能。
相較於市場上其他的矽和碳化矽解決方案，650 V CoolSiC MOSFET 提供許多高吸引力的優勢，例如：在更高頻率下的切換效率以及出色的可靠度。這些裝置具有非常低的導通電阻 (RDS(on)) 與溫度的相依性，散熱特性極其出色。裝置採用穩定可靠的本體二極體，擁有非常低的逆復原電荷 (Qrr)，較效能最好的超接面 CoolMOS™ MOSFET 降低了約 80%。裝置在整流方面的耐用度，有助於輕鬆達到 98% 的整體系統效率，例如：搭配連續傳導模式的圖騰式(totem-pole)電路功率因子校正 (PFC)。
為了簡化 CoolSiC MOSFET 650 V 的應用設計，確保裝置實現高效能運作，英飛凌亦推出專用的單通道和雙通道電氣隔離 EiceDRIVER™ 閘極驅動 IC。此解決方案結合了 CoolSiC 開關和專用的閘極驅動 IC，有助於降低系統成本和整體擁有成本，且能提高能源效率。CoolSiC MOSFET 也能與英飛凌 EiceDRIVER 閘極驅動器系列的其他 IC 無縫配合運作。
