DIGITIMES - 議題精選：長鑫記憶體大進擊

長鑫記憶體大進擊

從技術、產能、市場到資本布局，全方位追蹤長鑫記憶體最新發展，剖析中國記憶體自主化進程，以及對三星、SK海力士、美光等國際大廠帶來的競爭影響。

長鑫、長存傳儲備3年產能DUV設備　華為鏈續推進中國自主化

2026/9/9

中國拚半導體製造自主化，知情人士透露，近年積極囤積大量深紫外光（DUV）微影設備，中國記憶體製造商長鑫科技和長江存儲都已從ASML儲備足夠的DUV設備，以支應未來3年的擴產計畫。據金融時報（FT）及

長鑫存儲HBM3良率仍卡25%　傳TSV技術經驗為硬傷

2026/9/9

中國DRAM龍頭長鑫存儲傳雖已著手試產第四代高頻寬記憶體（HBM3），但初期良率始終難以提升，仍停留在25%，與競爭對手目前已達90%以上的HBM3良率相當懸殊。業界分析指出，關鍵在於長鑫存儲的矽穿孔（TSV）

觀察：箝制反催中國造芯熱　華為麒麟重生、小米接力陪跑

2026/9/9

2020年9月，華為手機業務曾迎來一記重擊。當時美國收緊對華為的晶片管制，台積電在9月中旬停止向華為出貨；當時華為消費者業務執行長余承東更直言，9月15日後，台積電將無法再替華為製造手機晶片。麒麟9000因此被視為華為高階手機晶片的一個重要分水嶺。6年後，同樣在9...

長鑫：2H26續衝刺伺服器業務　DRAM供給仍吃緊

2026/9/8

中國DRAM大廠長鑫科技9月7日下午舉行上市之後首場半年報線上法說會，公司預期2026年下半全球DRAM供給緊俏格局仍將延續，並將透過擴充產能、製程升級及成本控管，進一步提升市場競爭力。根據中媒第一財經

長鑫存儲進軍高階記憶體　小米打頭陣、蘋果傳合作、HBM求突破

2026/9/8

從智慧型手機切入記憶體市場，長鑫存儲正逐漸將戰線延伸至人工智慧（AI）應用領域，若可進一步突破高頻寬記憶體（HBM），其競爭版圖可望由中國本土市場，加速擴展至全球AI記憶體市場。綜合華爾街日報（WSJ）

三星HBM擴大供應、長鑫存儲崛起　全球記憶體版圖出現新變化

2026/9/7

全球高頻寬記憶體（HBM）市場競爭升溫，三星電子（Samsung Electronics）市佔率單季大增12個百分點至33%，迅速逼近仍以50%居冠的SK海力士（SK Hynix）。根據韓媒ET News、首爾經濟等報導，市調機構

北方華創蝕刻技術突圍　中國3D DRAM開發EUV替代方案

2026/9/7

中國半導體設備商北方華創日前在IEEE期刊公布研究成果，宣稱已開發出一套用於3D DRAM的雙步驟蝕刻（etching）技術，並在64層結構中實現較高的蝕刻均勻性（Uniformity）。若後續能通過量產驗證，這項技術有

字節跳動AI手機採雙供應商策略　三星、長鑫存儲分食記憶體訂單

2026/9/7

中興通訊與字節跳動共同開發的人工智慧（AI）智慧型手機努比亞NaviX Ultra，將同時採用三星電子（Samsung Electronics）、長鑫存儲供應的行動DRAM，形成雙供應商體系。韓媒Herald經濟引述業界消息，三星將

觀察：中國打出記憶體三張牌　長鑫、長存、武漢新芯各自突圍

2026/9/4

中國記憶體產業正轉變打法。過去，中國面臨「缺一家能打的本土大廠」，如今逐漸形成分進合擊的局面：長鑫存儲攻DRAM、長江存儲拚3D NAND，武漢新芯則把NOR

長鑫存儲LPDDR6全球首發塑造形象？　實際性能、量產規模遭疑

2026/9/3

中國DRAM龍頭長鑫存儲日前正式宣布LPDDR6進入量產，並自稱為「全球首家商用化」，但業界對此說法存在諸多質疑，從產品實際運作規格、量產進度到出貨規模均認為仍有疑點。而南韓記憶體雙雄早已完成同款產品開發，並著手準備量產，長鑫存儲的「全球首發」說法也被認為與業...

長鑫HBM3E拚2027年量產　預料將成中國AI GPU堅強後盾

2026/9/3

中國AI晶片產業持續擴大，記憶體供應正成為影響AI GPU出貨的重要環節。隨著三星（Samsung Electronics）、SK海力士（SK hynix）及美光（Micron）等全球DRAM三大廠持續將先進產能轉向高頻寬記憶體

長鑫擴大全球徵才補齊DRAM人才鏈　布局延伸至日本

2026/9/3

中國DRAM業者長鑫存儲啟動2027年全球徵才，職缺從電路設計、研發技術、量產技術一路延伸至生產營運、資訊技術及人工智慧（AI）等領域，工作地點涵蓋合肥、北京、上海、西安及海外市場日本。從職缺結構來看

長鑫LPDDR6量產　中國記憶體廠拉近與DRAM三強代差

2026/9/1

中國DRAM業者長鑫存儲29日宣布，LPDDR6正式進入量產，並由小米新一代折疊旗艦手機「小米18 Fold」首發搭載。小米董事長雷軍隨即公開表達祝賀，並指出小米玄戒O3為首款支援長鑫LPDDR6的行動處理器。長鑫

深度：川習會前科技戰變數　長鑫告美國防部的底氣何來？

2026/9/1

長鑫存儲（CXMT）對美國政府展開反擊，從供應鏈與技術競爭延伸到司法攻防戰。8月28日，長鑫公布上市後首份半年報成績亮眼，同一天也宣布提告美國國防部。長鑫向美國華盛頓特區聯邦地區法院提告，將美國國防部、國防部長Pete Hegseth、副部長Steve Feinb...

突破美方封鎖　長鑫傳已小量生產HBM3E助攻中國本土AI晶片

2026/9/1

據知情人士透露，中國記憶體晶片製造商長鑫科技已開始小量生產先進高頻寬記憶體HBM3E，這項進展可望緩解中國在開發本土人工智慧（AI）處理器上的關鍵限制。HBM3E目前廣泛應用於頂尖AI處理器，這代表長鑫生

長鑫存儲「合肥計畫」曝光　縝密竊取三星DRAM製程、人才

2026/9/1

三星電子（Samsung Electronics）18奈米DRAM製程洩密案再有後續。最新南韓檢方調查顯示，中國記憶體業者長鑫存儲早在2016年初期便制定「合肥計畫」（H Project），鎖定取得三星的核心技術、人才，並訂出分

不滿被列軍事企業清單　長鑫存儲提告五角大廈

2026/8/31

因不滿遭列入中國軍事企業清單（Chinese Military Companies list；CMC），中國記憶體業者長鑫存儲8月28日向美國國防部提起訴訟。路透（Reuters）報導，長鑫存儲強調自身與中國軍方沒有關聯，所設計、製造

長鑫科技掛牌後首份財報亮眼　AI記憶體缺貨助攻1H26營收年增873%

2026/8/31

受全球人工智慧（AI）浪潮推升硬體需求與記憶體短缺影響，中國最大記憶體晶片製造商長鑫科技於掛牌上市後首份財報中繳出亮眼成績。長鑫2026年上半營收大幅飆升近10倍，年增873.64%、達到人民幣1,503.1億元（約

長鑫存儲LPDDR6追平SK海力士？　傳共同供貨小米旗艦機

2026/8/28

消息傳出，小米最新旗艦機將搭載中國DRAM龍頭長鑫存儲生產的LPDDR6，值得注意的是，此前也曾有消息稱，SK海力士（SK

中國DRAM追趕再進一步　長鑫存儲成功導入High-k材料

2026/8/28

中國長鑫存儲正把DRAM技術追趕推向材料與電晶體結構層級。產業研究機構TechInsights指出，長鑫存儲已成功將高介電常數（High-k）材料量產應用於最新DRAM產品，觸及過去由記憶體領先業者掌握的技術門檻