DIGITIMES - 議題精選：中國記憶體新兵變勁敵

長鑫加速擴充DRAM產能，從中國市場切入消費型記憶體，並逐步向高階產品延伸。隨著良率與產品線持續改善，長鑫正擴大全球市佔，南韓三星、SK海力士面臨的競爭壓力也同步升高。

2026/9/22

全球記憶體持續嚴重缺貨，尤其人工智慧（AI）及雲端應用，推升各界對於記憶體貨源需求急迫，DRAM與NAND Flash身價高漲，中國兩大指標性記憶體廠長鑫存儲、長江存儲，將打破各佔半壁江山的格局。長江存儲跨入LPDDR5 DRAM將於2026年底試產，長鑫...

2026/9/21

長鑫科技9月20日表示，第五代DRAM技術平台已進入量產階段，該平台每片晶圓產出較上一代提升50%以上，展現對三星電子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三大記憶體供應商製

2026/9/17

中國記憶體產業追趕，正從通用型DRAM與NAND Flash，延伸至高頻寬記憶體（HBM）。中國本土需求、研發投入及供應鏈本土化持續推進，長鑫存儲與長江存儲積極擴大市場布局，也讓三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK

2026/9/15

中國工業和資訊化部（簡稱工信部）、國家發展和改革委員會（簡稱國家發改委）聯合公布《電子資訊製造業發展「十五五」規劃》（簡稱《規劃》），首度將「高帶寬快閃記憶體」、「高帶寬內存」兩項列入新型記憶體

2026/9/14

記憶體市場歷經2026年供應緊張及價格大幅上漲後，因DRAM產能擴張、記憶體產品需求結構調整等，群智諮詢預期2027年供需缺口將明顯收斂，漲幅也將較2026年放緩。記憶體與整體半導體市場預計到2028年都將維持

2026/9/14

人工智慧（AI）熱潮意外讓中國DRAM龍頭長鑫存儲，狂吃通用記憶體漲價紅利。市場資料顯示，長鑫科技2026年第2季以稅前息前利潤（EBIT）計算的營業利益率約達82%，在多家主要記憶體業者中名列前茅，顯示三星電

2026/9/9

中國拚半導體製造自主化，知情人士透露，近年積極囤積大量深紫外光（DUV）微影設備，中國記憶體製造商長鑫科技和長江存儲都已從ASML儲備足夠的DUV設備，以支應未來3年的擴產計畫。據金融時報（FT）及

2026/9/9

中國DRAM龍頭長鑫存儲傳雖已著手試產第四代高頻寬記憶體（HBM3），但初期良率始終難以提升，仍停留在25%，與競爭對手目前已達90%以上的HBM3良率相當懸殊。業界分析指出，關鍵在於長鑫存儲的矽穿孔（TSV）

2026/9/9

2020年9月，華為手機業務曾迎來一記重擊。當時美國收緊對華為的晶片管制，台積電在9月中旬停止向華為出貨；當時華為消費者業務執行長余承東更直言，9月15日後，台積電將無法再替華為製造手機晶片。麒麟9000因此被視為華為高階手機晶片的一個重要分水嶺。6年後，同樣在9...

2026/9/8

中國DRAM大廠長鑫科技9月7日下午舉行上市之後首場半年報線上法說會，公司預期2026年下半全球DRAM供給緊俏格局仍將延續，並將透過擴充產能、製程升級及成本控管，進一步提升市場競爭力。根據中媒第一財經