搶先SK海力士一步 三星傳HBM4將採1c DRAM製造
- 蔡云瑄／綜合報導
高頻寬記憶體（HBM）需求增加，也讓第六代HBM（HBM4）技術競爭愈演愈烈，三星電子（Samsung Electronics）近日傳考慮在HBM4採第六代10奈米級（1c）DRAM製造，引起業界關注。由於HBM是以垂直方式連...
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