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記憶體大軍猛攻QLC NAND 高容量SSD醞釀大爆發 陸廠試圖超車追趕 明年NAND Flash市場動盪加劇

  • 韓青秀

全球NAND Flash推進次世代技術堆疊,快速拉升高容量SSD市場需求。李建樑

2018年全球NAND Flash價格一路走跌,由於市場需求增長平緩,業者預期下半年將延續跌勢,隨著國際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次世代技術堆疊,2019年QLC(Quad-Level Cell )NAND將邁入百家爭鳴世代,帶動消費性固態硬碟(SSD)容量快速升級至TB等級,加上大陸長江存儲發布新一代3D NAND架構Xtacking,試圖超車追趕國際大廠,全球NAND Flash產量持續增加,戰火愈益激烈,2019年NAND Flash市場恐將大幅震盪。

美光(Micron)與英特爾(Intel)於5月發布全球首款QLC 3D NAND技術SSD,宣告2018年進入QLC量產元年,目標市場鎖定資料中心應用領域。近期三星電子(Samsung Electronics)宣布將針對消費性市場推出QLC SSD產品,採用64層3D NAND堆疊生產,最大容量將達到4TB,後續將再推出企業用QLC SSD。

3D NAND Flash儲存型態別主要特性比較

2014~2018年3D NAND Flash廠商別產能比重變化及預測

2015~2018年全球記憶體廠商3D NAND Flash產能與成長率變化及預測

記憶體業者指出,2018年以來NAND Flash價格走勢疲弱,消費性市場搭載大容量SSD產品需求與滲透率持續成長,儘管QLC具有更高容量和成本優勢,然因單位體積容量增加與存儲密度增大,廠商要確保產品速度和性能水準並不容易,三星聲稱已可實現QLC SSD與TLC同等級的性能,未來高容量SSD擁有價格優勢,可望提升ODM廠商搭載意願,包括筆記型電腦(NB)搭載SSD主流規格將朝向1TB邁進。

由於SSD容量發展速度已明顯快於HDD,意味著SSD將加快取代HDD的腳步,尤其三星推出消費性QLC SSD搶市後,業界預期東芝(Toshiba)96層QLC 3D NAND亦可望跟進推出,2019年全球記憶體原廠QLC SSD產品相繼問世,記憶體模組廠亦將推出新品上市,帶動SSD容量升級及價格競爭白熱化。

SK海力士則推出全球首款4D NAND TLC產品,晶片面積更小、處理工時縮短且成本降低,其採用96層堆疊技術,I/O介面速度為1.2Gbps,預計2018年第4季推出樣品,同時投入4D QLC研發,可望於2019年下半推出樣品。

值得注意的是,在大陸發展記憶體國產化的聲浪下,長江存儲日前亦推出全新3D NAND架構Xtacking,首要特點在於大幅提升I/O介面速度,具備3D NAND多層堆疊的更高存儲密度,並可減少上市週期。

長江存儲指出,Xtacking可將I/O介面速度提升到3Gbps,相當於DRAM DDR4的速度,產品開發時間可縮短3個月,生產週期縮短20%,可加速3D NAND產品上市,Xtacking技術將應用於第二代3D NAND產品開發,預計2019年進入量產。

業界認為長江存儲積極超車趕上的態勢,加上第4季32層NAND將進入量產,2019年能否快速擴大量產及鋪貨將是觀察重點,即使目前長江存儲NAND技術仍落後國際大廠,但市場價格制約力量將逐漸形成,並為NAND Flash市場波動帶來新變數。



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