日大學突破STT-MRAM技術侷限 創下14奈秒寫入速度
- 謝明珊／綜合報導
日本東北大學成功研發出儲存密度高達128Mb的自旋轉移力矩式記憶體(STT-MRAM)，寫入速度竟達14奈秒(ns)，堪稱全球100Mb以上STT-MRAM之中寫入速度最快，可望應用於嵌入式記憶體應用，例如物聯網(IoT)和人工智慧(AI)的緩存。
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