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三星半導體採攻擊式投資 平澤園區新廠上看3座 因應景氣循環模式變遷、大陸崛起 然供給恐過剩

  • 范維君

三星半導體部門開始草擬100兆韓元投資方案,可能於平澤園區興建新廠。法新社

三星集團(Samsung Group)宣布180兆韓元(約1,600億美元)3年投資計畫,其中100兆韓元(約890億美元)將用於半導體領域,南韓業界指出,近期三星電子(Samsung Electronics)半導體部門已開始草擬100兆韓元投資方案,可能於平澤半導體園區再建新廠,若以投資金額推估,未來三星平澤園區恐出現第二、三座、甚至第四座半導體廠,恐加深市場供給過剩疑慮。

根據韓媒引述業界消息指出,三星可能不考慮記憶體供給過剩與價格下滑擔憂,決定採取更積極的攻擊式投資,主要在於三星判斷半導體景氣循環模式已不同於過往,未來仍具有相當高的成長潛力,加上面對大陸半導體產業強勢崛起,三星認為必須以最先進及穩定的技術,構築更高的護城河,讓大陸業者難以跨過門檻。

三星預期半導體景氣循環模式將與過去不同,隨著自駕車、人工智慧(AI)等工業4.0革命到來,全球半導體市場需求可望激增,除了目前既有的PC、智慧型手機等產品外,包括自駕車、雲端運算等新興產業,以及深度學習、神經網路等AI相關技術加速發展,讓資料處理量大增,均將帶動半導體市場大幅成長。

此外,面對大陸半導體產業持續崛起,三星決定採取先發制人的攻擊式投資策略,藉以拉大與競爭對手差距,透過擴大投資戰略,維持領先者的優勢地位。

南韓業界透露,三星半導體部門已開始對100兆韓元擬定投資方案,如果從金額推估,未來三星可能於平澤半導體園區再建3座半導體廠,三星係於2015年5月決定於佔地面積88萬坪的平澤半導體園區內興建平澤一廠,2017年完工後開始量產3D NAND Flash,投資額約35兆韓元(約310億美元)。

三星平澤園區正式啟用後,加上三星器興園區及華城園區,形成全球最大的半導體生產聚落。南韓業界估計,目前平澤一廠僅使用平澤半導體園區約4分之1的土地,從平澤園區佔地面積來看,未來三星於平澤園區再興建第二、三座、甚至第四座半導體廠都有可能。

儘管無法得知三星半導體部門規劃生產的產品類別,但南韓業界推測三星應會對領先的記憶體市場先進行攻擊式投資,目前三星在全球DRAM與NAND Flash市佔皆是第一,市佔率分別為46%與36%,若未來三星在平澤園區再興建3座新廠,屆時記憶體產業恐陷入供給過剩困境。

三星記憶體2017年營收約60兆韓元(約530億美元),營業利益約33兆韓元(約290億美元),營業利益率達55%,南韓業界預估,2018年三星記憶體部門營運表現可望更為亮眼。不過,儘管三星全力布局AI、自駕車等尖端半導體市場,期望擴大非記憶體產品陣容,然現階段三星半導體事業發展主軸仍可能鎖定記憶體領域。