全球NAND原廠產能戰火未停歇 過半產能推進至3D NAND製程  2019年旗艦手機規格邁向512GB 智慧應用 影音
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全球NAND原廠產能戰火未停歇 過半產能推進至3D NAND製程  2019年旗艦手機規格邁向512GB

  • 韓青秀深圳

為了填補先前NAND Flash供給短缺,全球主要NAND大廠加大3D NAND投產計劃,2018年下半起,部分原廠已轉為96層TLC或者64層QLC,預計大規模量產將集中於2019年上半,量產容量將進入256GB或者512GB起跳,根據估計,包...

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