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美科學家以金屬二硫屬化物發展ReRAM

  • 涂翠珊綜合報導

由美國國家標準與技術研究院(NIST)與普渡大學(Purdue University)科學家組成的研究團隊,利用金屬二硫屬化物(metal dichalcogenide)原子薄層產生的相變化,發展出新型態的變電阻式記憶體(ReRAM)技術。

據A...

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