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三星擬於2021年推新晶片製造技術GAA 提高晶片效能35%、能耗降低50%

  • 陳端武

三星將於2021年推出使用GAA技術製造的行動晶片。法新社

三星電子(Samsung Electronics)將在2021年推出突破性的閘極全環(Gate-All-Around;GAA)技術。GAA對最基本的電子元件進行根本性改造,能將晶片效能提高35%,同時將功耗降低50%。

根據CNET報導,三星於5月14日在三星晶圓代工技術論壇(Samsung Foundry Forum)上表示,GAA技術能重新塑造晶片核心電晶體,使其更小更快。2021年採用GAA技術的晶片問世時,將成為三星與英特爾(Intel)和台積電競爭的利器。

顧問公司International Business Strategies執行長Handel Jones表示,三星在材料上的研究成果正在取得成效。三星在GAA方面領先台積電約1年,英特爾約2~3年。

三星的進步將延長摩爾定律(Moore's Law)的適用期,至少在未來幾年內,消費者可期待出現更好的繪圖處理技術、更智慧的人工智慧和其他運算方面的改進。

三星晶圓代工業務行銷副總裁Ryan Lee在活動上表示,GAA將標誌著三星代工業務進入新時代。三星正在改進7奈米製程,但GAA將讓三星將電路縮小到3奈米。首批3奈米行動晶片將於2020年進行測試,2021年量產。而效能更高的晶片,如GPU和資料中心的AI晶片的3奈米版本應會在2022年量產。

Lee預測,GAA改進將實現2奈米製程。之後將是1奈米的未來技術。他確信將有低於1奈米的新技術,雖無法確定是什麼樣的結構,但肯定會出現。

三星的5奈米晶片可望在2020年上市,現在已能開始製造原型。該公司已發布早期生產工具,客戶也能開始設計及將有晶片調整為3奈米。