MRAM製程與測試技術漸趨成熟
- 涂翠珊／綜合報導
磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)結構簡單，相當容易被嵌入CMOS邏輯電路的後端處理(BEOL)金屬化層。然而在研發人員觀察到自旋移轉轉矩(Spin-Transfer Torque；STT)現象前，MRAM的發展幾乎停滯不前。就在近幾年，STT-MRA...
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