MRAM具取代DRAM與SRAM潛力 有望改變資料儲存市場格局
- 茅堍／綜合報導
隨著人工智慧(AI)、物聯網(IoT)、邊緣運算等技術應用快速擴展、穿戴式裝置日益普及，再加上資料中心的擴張，使得具有低功耗、存取速度快、高耐用性的非揮發性記憶體(NVM)市場需求大增。而在各類NVM中，磁阻式記憶體(MRAM)往往被視為是能夠改變現有資料儲存...
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