耗電省二成體積剩一成 GaN半導體EV
- 范仁志／綜合報導
由於矽質功率半導體發展碰到瓶頸，2010年代功率半導體廠紛轉向新材料領域發展，其中由日本人研發、在2014年獲得諾貝爾物理獎的GaN材料，被日本政府視為可望迎頭趕上的領域，故於2017年以日本政府環境省的計畫為契機開始發展，並2019年東京車展(Tokyo M...
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